蓄電池充放電測試儀高壓發生器電路圖10kv重合閘功(gong)率放(fang)大(da)器(qi)簡稱功(gong)放(fang)，一(yi)般(ban)特指音響系(xi)統中一(yi)種最(zui)基本的(de)設備，俗稱“擴(kuo)音機”，它的(de)任務是把來自信號(hao)(hao)源（專業音響系(xi)統中則(ze)是來自調音臺）的(de)微弱電信號(hao)(hao)進(jin)行(xing)放(fang)大(da)以驅(qu)動揚聲器(qi)發出聲音。還(huan)可以指其(qi)他進(jin)行(xing)功(gong)率放(fang)大(da)的(de)設備。
功放(fang)的(de)(de)作用就是把(ba)來自音(yin)(yin)源或(huo)前級(ji)放(fang)大器(qi)的(de)(de)弱信(xin)號放(fang)大，推(tui)動音(yin)(yin)箱放(fang)聲。一套(tao)良好的(de)(de)音(yin)(yin)響系統(tong)功放(fang)的(de)(de)作用功不可沒。
功(gong)放，是(shi)(shi)各類音響器(qi)材中最大(da)的(de)一個(ge)家族，其(qi)作用(yong)主要是(shi)(shi)將音源(yuan)器(qi)材輸入的(de)較微弱信號(hao)進行放大(da)后，產(chan)生(sheng)(sheng)足夠(gou)大(da)的(de)電流去推動揚聲(sheng)器(qi)進行聲(sheng)音的(de)重(zhong)放。由于考慮(lv)功(gong)率(lv)、阻抗、失真、動態以及(ji)不(bu)同(tong)的(de)使用(yong)范圍和(he)控制調(diao)節(jie)功(gong)能(neng)，不(bu)同(tong)的(de)功(gong)放在內部(bu)的(de)信號(hao)處(chu)理、線路設計和(he)生(sheng)(sheng)產(chan)工(gong)藝上也(ye)各不(bu)相同(tong)。
①MOS 管功放具有鼓勵功率小，輸出功率大，輸出漏極電流具有負溫度系數，資質榮譽，且(qie)有工作頻率高，偏置簡單(dan)等優點。以運放的(de)輸(shu)出作為OCL 的(de)輸(shu)入，到(dao)達抑止零(ling)點漂移的(de)效果。
電流推(tui)(tui)進級(ji)通常由一至二級(ji)組成，為(wei)了降低(di)輸(shu)(shu)出(chu)阻(zu)抗、增加阻(zu)尼系數(shu)，常采(cai)用(yong)二級(ji)電流推(tui)(tui)進。為(wei)了防(fang)止電流推(tui)(tui)進級(ji)產(chan)生開(kai)關(guan)(guan)失(shi)真(zhen)，較好(hao)的(de)作法(fa)是、采(cai)用(yong)MOS管并增大(da)本級(ji)的(de)靜態電流，這樣本級(ji)不會(hui)產(chan)生開(kai)關(guan)(guan)失(shi)真(zhen)，由于(yu)任何狀況下電流推(tui)(tui)進級(ji)一直(zhi)處(chu)于(yu)放大(da)區(qu)，所以電流輸(shu)(shu)出(chu)級(ji)也一直(zhi)處(chu)于(yu)放大(da)區(qu)，因而輸(shu)(shu)出(chu)級(ji)同樣不會(hui)產(chan)生開(kai)關(guan)(guan)失(shi)真(zhen)和交越失(shi)真(zhen)。
①低頻的(de)溫(wen)和(he)(he)度比晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)功放差，MOSFET開關(guan)場效應(ying)管(guan)(guan)容易被輸出(chu)和(he)(he)輸入過載損(sun)壞(huai),MOSFET場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)既具有晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)的(de)根本優點。但運(yun)用不久發現(xian)這種(zhong)功放的(de)牢靠性不高(gao)（無法外(wai)電路維護），開關(guan)速度進步得不多和(he)(he)最大(da)輸出(chu)功率僅為150W/8Ω等。90年代初(chu)，MOSFET的(de)制造技術(shu)有了(le)很大(da)打破，呈現(xian)了(le)一(yi)種(zhong)高(gao)速MOSFET大(da)功率開關(guan)場效應(ying)晶(jing)體(ti)管(guan)(guan)。
西班牙藝格公司（ECLER）經多年研討，攻克了非毀壞性維護系統的SPM專利技術，推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優點分離的第3代功放產品，并逐漸在世界上得到了應用。第3代MOSFET功放的中頻和高頻音質接近電子管功放，但低頻的溫和度比晶體管功放差一些，三相電容電感測試儀參數，此外MOSFET開關場(chang)效應管容易被輸出和(he)輸入過載損(sun)壞。
⑤MOS管(guan)(guan)的(de)低頻(pin)下太硬,用(yong)MOS功(gong)放(fang)(fang)聽出所謂電子(zi)管(guan)(guan)音(yin)(yin)色有(you)一個(ge)簡單方法，把普通三極(ji)管(guan)(guan)功(gong)放(fang)(fang)里(li)的(de)電壓推進三極(ji)管(guan)(guan)換成(cheng)JFET，JFET才真(zhen)正具有(you)電子(zi)管(guan)(guan)音(yin)(yin)色。
功率放(fang)大電路(lu)往往要求(qiu)其(qi)驅動負載的(de)(de)能力(li)較(jiao)強，從能量控制和轉換的(de)(de)角度(du)來看，功率放(fang)大電路(lu)與其(qi)它(ta)放(fang)大電路(lu)在本(ben)質上沒(mei)有根本(ben)的(de)(de)區別(bie)，只是功放(fang)既不是單(dan)純追求(qiu)輸出(chu)高電壓，也不是單(dan)純追求(qiu)輸出(chu)大電流，而(er)是追求(qiu)在電源電壓確定的(de)(de)情(qing)況下，輸出(chu)盡可(ke)能大的(de)(de)功率。
此電(dian)(dian)(dian)路(lu)分別采用一(yi)個N溝(gou)道(dao)和(he)一(yi)個P溝(gou)道(dao)場效應(ying)管對接(jie)而成，其中(zhong)RP2和(he)RP3為偏置電(dian)(dian)(dian)阻，用來調節電(dian)(dian)(dian)路(lu)的(de)(de)(de)靜(jing)態(tai)工作點(dian)。特(te)征頻率(lv)fT放大(da)電(dian)(dian)(dian)路(lu)上(shang)(shang)限(xian)頻率(lv)fH的(de)(de)(de)關系(xi)為：fT≈fhβh，系(xi)統階(jie)躍相應(ying)的(de)(de)(de)上(shang)(shang)升時間(jian)tr與放大(da)電(dian)(dian)(dian)路(lu)上(shang)(shang)限(xian)頻率(lv)的(de)(de)(de)關系(xi)為：trfh=0.35。
